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单个 Diodes DMN62D1LFD-7
制造商
Diodes Incorporated
制造商产品编号
DMN62D1LFD-7
包装卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel®
零件状态在售
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)400mA（Ta）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds
On）1.8V，4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）2 欧姆 @ 100mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）1V @ 250μA
Vgs（大值）±20V
FET 功能-
功率耗散（大值）500mW（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装X1-DFN1212-3
封装/外壳3-UDFN
漏源电压（Vdss）60 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）0.55 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）36 pF @ 25 V
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